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廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

結(jié)果: 找到相關(guān)主題 640 個

  • 快恢復(fù)二極管(frd)好壞判斷,測量方法-KIA MOS管

    快恢復(fù)二極管(FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中。

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    www.enlve.com/article/detail/5754.html         2025-06-27

  • 整流mos管,135v200a場效應(yīng)管,toll封裝,?KCT2213A參數(shù)-KIA MOS管

    KCT2213A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V,漏極電流200A ,采用先進的SGT技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.9mΩ,低柵極電荷(151nC),最小化開關(guān)損耗,性能卓越;改進的dv/dt能力測試,高堅固性,在同步整流、電機控制、鋰電池保護板中廣泛應(yīng)用,高效穩(wěn)定?;封裝形式...

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    www.enlve.com/article/detail/5753.html         2025-06-26

  • 穩(wěn)壓二極管(zener diode)的原理,工作狀態(tài)-KIA MOS管

    穩(wěn)壓二極管(zener diode),又叫齊納二極管;利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),呈現(xiàn)極小的電阻,其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,起穩(wěn)壓作用。

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    www.enlve.com/article/detail/5752.html         2025-06-26

  • 單結(jié)晶體管(ujt)的工作原理,結(jié)構(gòu)特性詳解-KIA MOS管

    單結(jié)晶體管有三個電極,分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管雖然有三個電極,但在結(jié)構(gòu)上只有一個PN結(jié),它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側(cè)的兩端,各引出一個電極,分別稱第一基極b1和 第二基極b2。在硅片的另一側(cè)較靠近b2處,用擴散法摻入P型...

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    www.enlve.com/article/detail/5751.html         2025-06-26

  • dc直流轉(zhuǎn)換器,320a40v,?1004mos管,KCT1004M參數(shù)-KIA MOS管

    KCT1004M場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ,采用先進的SGT技術(shù),高壓器件新技術(shù),低導(dǎo)通電阻和低傳導(dǎo)損耗,性能優(yōu)越;?極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ,超低柵極電荷,降低驅(qū)動需求,最小化開關(guān)損耗;100%經(jīng)過雪崩測試,可靠堅固,在DC直流轉(zhuǎn)換器、電機...

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    www.enlve.com/article/detail/5750.html         2025-06-25

  • MOS管開啟電壓定義,mos管開啟電壓一般多少-KIA MOS管

    在電路中,MOS管的開啟電壓(通常指的是閾值電壓)決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓(VGS)的最小值。對于NMOS管,當(dāng)VGS大于Vth時,管子開始導(dǎo)通。

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    www.enlve.com/article/detail/5749.html         2025-06-25

  • FET詳解,MOSFET結(jié)構(gòu)原理,場效應(yīng)管作用-KIA MOS管

    場效應(yīng)管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極,柵極,漏極,源極。

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    www.enlve.com/article/detail/5748.html         2025-06-25

  • 鋰電池保護板,?80v130a場效應(yīng)管,2908mos管,?KNP2908C-KIA MOS管

    KNP2908C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ,采用KIA的先進技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ,低柵極電荷(典型值182nC),最大限度地減少導(dǎo)通損耗,最小化開關(guān)損耗;具有快速的開關(guān)時間、出色的雪崩特性,高效穩(wěn)定;高耐用性、改進的dv/dt能力、1...

    www.enlve.com/article/detail/5747.html         2025-06-24

  • ao3400參數(shù),30v5.8a mos管,KIA3400參數(shù)代換-KIA MOS管

    ao3400場效應(yīng)管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A,漏源擊穿電壓30V,采用先進的溝槽技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作,減少開關(guān)損耗,提高效率;符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、綠色環(huán)保,穩(wěn)定可靠;適用于電源管理、開關(guān)控制、功率放大、高頻信...

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    www.enlve.com/article/detail/5746.html         2025-06-24

  • ESD靜電防護標(biāo)準(zhǔn),ESD測試標(biāo)準(zhǔn)和方法-KIA MOS管

    1、esd靜電防護標(biāo)準(zhǔn)是GB21148-2020。這是我國關(guān)于靜電防護的主要標(biāo)準(zhǔn)之一,它規(guī)定了靜電防護的相關(guān)要求和測試方法該標(biāo)準(zhǔn)強調(diào)了對防靜電電阻值的要求。2、防靜電國家標(biāo)準(zhǔn)GB21148-2020 對防靜電電阻值要求為大于100kΩ和小于或等于1000MΩ,即100kΩ<電阻值≤...

    www.enlve.com/article/detail/5745.html         2025-06-24

  • 逆變器電源管理,150a80vmos管,KNM2808A場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管

    KNM2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ,RDS(ON)值為4mΩ,極低RDS(ON)和優(yōu)秀柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)通損耗,最小化開關(guān)損耗;高輸入阻抗、低功耗、開關(guān)速度快,高效穩(wěn)定;100%雪崩測試,可靠且堅固,無鉛和綠色設(shè)備可用(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)),在...

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    www.enlve.com/article/detail/5744.html         2025-06-23

  • 氙氣燈安定器電路原理,作用詳解-KIA MOS管

    氙氣燈安定器的原理是將汽車蓄電池的12V直流電壓,通過一系列電子轉(zhuǎn)換與控制步驟,產(chǎn)生一個瞬間23000V的點火高壓對燈頭進行點火,點亮后再維持 85V 的交流電壓。

    www.enlve.com/article/detail/5743.html         2025-06-23

  • ss34二極管參數(shù)封裝圖,ss34二極管作用-KIA MOS管

    SS34肖特基二極管,具有高速開關(guān)特性和低正向壓降,反向擊穿電壓可達(dá)40V,正向電流最大可達(dá)3A,適用于高頻整流和開關(guān)電路。ss34二極管常用在小電流的(模型)電調(diào)上,用于電路瞬間整流。

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    www.enlve.com/article/detail/5742.html         2025-06-23

  • 同步整流,60v100a,3206場效應(yīng)管,KCY3206B參數(shù)-KIA MOS管

    KCY3206B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流100A,使用先進的SGT MOSFET技術(shù),高密度單元設(shè)計,實現(xiàn)?極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 2.4mΩ,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,100% UIS測試通過、100%▽VDS測試通過,?高效穩(wěn)定;適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理功能、...

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    www.enlve.com/article/detail/5741.html         2025-06-20

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